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中壓MOSFET設計提供了新的可能性
發(fā)布者: 發(fā)布時間:2015/6/16 0:44:45 閱讀:

中壓MOSFET設計提供了新的可能性

 

英飛凌科技,專業(yè)提供節(jié)能解決方案應用程序(如電信系統(tǒng)、不間斷電源(UPS)、電機控制、工業(yè)電源、DC / AC逆變器,擴展了中壓MOSFET組合與OptiMOS TM300 V。

 

OptiMOS 300 V幫助系統(tǒng)設計師提高功率密度和降低成本水平最高的可靠性。例如,在硬切換應用程序如AC / DC轉換器OptiMOS 300 V削減能源損失了50%。這允許更高的開關頻率,因此,被動組件和解決方案的大小減少。此外,OptiMOS 300 V電壓上升空間可以提供更好的可靠性、安全性和易用性設計一個60 V電信整流器。階段所需的數(shù)量在級聯(lián)高壓開關模式電源可以減少和110 V交流UPS現(xiàn)在可以實現(xiàn)。

 

“使用300 V屏蔽功能,英飛凌擴展了基準OptiMOS技術到目前為止非主流電壓等級來支持發(fā)展的應用,如多級轉換器,”理查德·Kuncic說副總裁和總經理業(yè)務線直流/直流英飛凌科技股份有限公司。“由于性能優(yōu)越的OptiMOS技術和廣泛的應用范圍,我們預計這種電壓等級電力MOSFET市場成為一個新的標準。”

 

將快速二極管技術,OptiMOS 300 V提供反向恢復電荷問rr相比低70%到下一個最好的替代設備。這一特點導致光滑的身體二極管行為和減少電壓超調。OptiMOS 300 V - 220包提供了優(yōu)秀的R DS(上)有超過58%低品質因數(shù)(FOM:R DS()x問g)相比其他可用的產品。這將直接轉化為低傳導損失和提高總體效率高電流應用,如電機控制。

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