震動(dòng)開(kāi)關(guān)臺(tái)積電減免FinFET外事局地面
倫敦——鑄造臺(tái)灣半導(dǎo)體制造有限公司已經(jīng)舉行了一次突破性的典禮外事局模塊在外事局14 gigafab在南臺(tái)灣科技園區(qū)在臺(tái)南,臺(tái)灣。這個(gè)階段六個(gè)模塊預(yù)計(jì)將臺(tái)積電的第一個(gè)工廠大規(guī)模生產(chǎn)16 nm FinFET電路在2014年。
建筑的第六階段模塊正在開(kāi)始僅僅七個(gè)月后,臺(tái)積電(臺(tái)北,臺(tái)灣)動(dòng)工5級(jí)。震動(dòng)開(kāi)關(guān)
構(gòu)建階段的工作六14 gigafab外事局不是由于開(kāi)始直到2013年作為一個(gè)170億美元的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃在未來(lái)五年,據(jù)臺(tái)北時(shí)報(bào)報(bào)道。
“這家工廠將成為世界上第一個(gè)12英寸工廠生產(chǎn)20納米系統(tǒng)芯片和第一個(gè)16納米FinFET芯片制造網(wǎng)站臺(tái)積電,”該報(bào)告引述臺(tái)積電聯(lián)席首席運(yùn)營(yíng)官蔣介石商毅,說(shuō)。
外事局14階段5和6預(yù)計(jì)大約兩倍的制造能力的第一個(gè)四個(gè)階段通過(guò)提供一個(gè)總潔凈室面積87000平方米,相當(dāng)于超過(guò)11個(gè)足球場(chǎng)和四倍比典型的300毫米晶圓廠。震動(dòng)開(kāi)關(guān)
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