滾珠開關先進的電力電子發(fā)布新的四氮和磷通道場效電晶體
先進的電力電子宣布新的四互補的N - p溝道m(xù)osfet,增強模式,目標全橋的應用程序如伺服和直流電機。
說簡單到可以驅動與低電阻,AP9930GM-HF-3可用設備在一個標準所以8包中常用的表面組裝工業(yè)設計。滾珠開關
n溝道績效評級包括:漏源極開通電壓(VDS)30 v;RDS()的33 mΩ;連續(xù)漏電流(ID)5.5的。對于p溝道,VDS是-30 v,RDS(在)是55 mΩ和ID是-4.1。滾珠開關
這個包是無鹵和符合兩電流RoHS,達到環(huán)保要求的危險物質。滾珠開關
拉爾夫Waggitt評論,總裁和CEO,先進的電力電子公司(美國):“這些新四場效電晶體提供設計師的最佳組合的快速交換、低電阻和成本效益。”
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